收藏本站
New Product
SUD50N10-34P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
r DS(on) Limited*
7
10
1
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1s
6
4
3
1
0
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
* V GS
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich r DS(on) is specified
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
32
26
19
13
6
0
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Package Limited
70
56
42
2 8
14
0
Current Derating**, Junction-to-Ambient
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating**, Junction-to-Case
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating**, Junction-to-Case
3.0
2.4
1. 8
1.2
0.6
** The power dissipation P D is based on T J(max) = 175 °C, using
0.0
junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the
0
25
50
75
100
125
150
upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating**, Junction-to-Ambient
Document Number: 74802
S-72068-Rev. A, 08-Oct-07
used. It is used to determine the current rating, when this rating falls
below the package limit.
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD50NP04-77P-T4E3 MOSFET N/P-CH 40V TO252-4
SUD50P04-13L-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SUD50P04-23-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SUD50P04-40P-T4-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SUD50P06-15L-T4-E3 MOSFET P-CH D-S 60V TO252
SUD50P08-26-E3 MOSFET P-CH D-S 80V TO252
SUD50P10-43-E3 MOSFET P-CH D-S 100V TO252
SUD50P10-43L-E3 MOSFET P-CH D-S 100V TO252
相关代理商/技术参数
SUD50NP04-62-T4-E3 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50NP04-77P 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50NP04-77P-T4E3 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V TO252-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SUD50NP04-77P-T4-E3 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 10.8/24W 37/40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50NP04-94-T4-E3 功能描述:MOSFET 40V 8.0A 13.2/15.6W 41/53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50P04-08 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SUD50P04-08-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50P04-08-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P CH -40V -50A TO-252-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, P CH, -40V, -50A, TO-252-3